1- Avances continuos en el rendimiento técnico: doble mejora de la eficiencia y de la densidad de potencia
El nivel de voltaje del dispositivo se actualiza a más de 1700V
A medida que el voltaje del bus de corriente continua del inversor fotovoltaico aumenta de 1100V a 1500V, la resistencia al voltaje de los dispositivos de carburo de silicio se actualiza simultáneamente.Los fabricantes como On Mei han introducido productos MOSFET SiC de 1700 V que pueden combinarse con plataformas de alto voltaje de 1500 V para una mayor eficiencia de transmisión de potencia y una menor pérdida de línea3..
Los MOSFET de carburo de silicio de segunda generación de Basic Semiconductor reducen las pérdidas de conmutación en un 30% al optimizar la resistencia específica de encendido (Rsp a 2,8-3,3 mΩ) para satisfacer las necesidades de los inversores de 100 kilovatios.
Integración de módulos de potencia y alta frecuencia
Utilizando un módulo de refrigeración de doble cara (como el paquete IPM) y un circuito de accionamiento integrado, la inductancia parasitaria se reduce a menos de 5nH, lo que permite un funcionamiento de alta frecuencia por encima de 100 kHz,y el volumen del sistema se reduce en un 40%.
El dispositivo compacto de carburo de silicio en el micro inversor ha mejorado la eficiencia de disipación de calor, redujo el tamaño del paquete TOLL en un 30% en comparación con las soluciones tradicionales,con una densidad de potencia de 50 W/cm3

2. la reducción de costes impulsa el rápido aumento de la penetración en el mercado
Aparece el efecto de escala
El precio de los dispositivos de carburo de silicio continúa cayendo: el precio unitario del SiC SBD cayó de 4,1 yuanes / A en 2017 a 1,4 yuanes / A, la disminución anual promedio del MOSFET alcanzó el 30%-40%,y se espera que el coste sea cercano a 1.5 veces más que los dispositivos basados en silicio en 2026.
El objetivo de coste del sustrato de carburo de silicio de China se ha reducido de 3.000 yuanes/pieza en 2023 a 2.000 yuanes/pieza en 2026, promoviendo la reducción de costes de toda la cadena industrial.
La solución híbrida reduce el umbral de aplicación
El esquema paralelo de "carburo de silicio + silicio" propuesto por Tesla agrega parte de los dispositivos de carburo de silicio sobre la base de IGBT, y el costo solo aumenta en un 50%-60%,pero la eficiencia del sistema se mejora significativamente y la resistencia al cortocircuito se mejora, que se ha aplicado en el campo del almacenamiento de energía fotovoltaica.

3. la cadena industrial coordinada para acelerar el proceso de localización
Expansión de la capacidad mundial y sustitución interna
Los gigantes internacionales Wolfspeed, Infineon y otros planean aumentar la capacidad de producción de obleas de carburo de silicio de 6 pulgadas a 4,6 millones de piezas/año (2026),Los fabricantes chinos como SAN 'an Photoelectric han logrado la producción en masa de sustrato, el índice de localización pasará del 15% en 2020 al 40% en 2025.
Innovación en tecnología de envases
Los procesos de envasado avanzados como la sinterización de plata y el AMB (bronceado activo de metales) se popularizan.reducir la resistencia térmica en un 30% y extender la vida útil del dispositivo a 50 veces la de los productos a base de silicio.

4Los escenarios de aplicación abarcan toda la cadena industrial
Dispositivos básicos: los inversores fotovoltaicos dominan el mercado
La penetración del carburo de silicio en los segmentos de los inversores Boost y DC/AC ha alcanzado el 35% y se espera que supere el 50% para 2025.La eficiencia de conversión de los inversores fotovoltaicos que utilizan carburo de silicio supera el 99%, y el coste de la electricidad por kilovatio hora en todo el ciclo de vida se reduce en un 12%.
Apoyo a la innovación en materia de materiales y equipos
El soporte para botes de carburo de silicio reemplaza el soporte de cuarzo, la resistencia a la temperatura se aumenta a más de 1600 ° C, la vida útil se extiende a más de 1 año,y se reducen los costes de inactividad y mantenimiento en la producción de células fotovoltaicas.
Máquina de tallado y fresado de cerámica para lograr componentes de precisión de carburo de silicio procesamiento de micrones, costos de producción reducidos en un 50% para promover el soporte fotovoltaico,marco y otras piezas estructurales ligeras.

5Desafíos y estrategias para afrontarlos
Cuello de botella técnico
La interferencia electromagnética (EMI) causada por el interruptor de alta frecuencia debe suprimirse, el circuito de accionamiento debe coincidir con la velocidad de cambio dv/dt de 100 kV/μs,y el desarrollo de chips de conductores personalizados se ha convertido en un foco.
Sistema de verificación de la fiabilidad
Establecer una norma de ensayo de intemperie acelerada de 10 años en ambientes exteriores adversos (alta temperatura, alta humedad, salpullido), que requiera una tasa de falla del dispositivo inferior al 0,1%/1000 horas.

Conclusión
La tecnología de carburo de silicio en el campo fotovoltaico está experimentando una transición de tres etapas de "avance en el rendimiento - exploración de costos - expansión de la escena".el mercado mundial de carburo de silicio fotovoltaico superará el 8.9 mil millones de dólares estadounidenses, y los avances tecnológicos de las empresas chinas en la preparación de sustratos,Los módulos de envasado y otros vínculos promoverán la reconstrucción del patrón industrial mundialLas futuras iteraciones tecnológicas deben centrarse en el control de defectos, la optimización de la integración del sistema y la construcción de sistemas estándar.